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石英晶体微天平测量仪器
自 20 世纪 60 年代,石英晶体微天平 (QCM) 测量仪器就开始用于薄膜真空沉积。实践证明,它几乎适用于所有薄膜沉积和蚀刻过程,包括来自热源、电子束枪、溅镀枪、磁控管、离子枪和激光源的物理和化学气相沉积。 QCM 系统本身既包括简单的手控单层薄膜监控器,又包括用于控制整个薄膜真空沉积过程的全自动多层薄膜控制器。 INFICON 提供完整系列的 QCM 薄膜真空沉积设备,可以满足所有这些需要。

需要什么设备?
一套完整的 QCM 系统需要一个测量仪器、一个传感器头、一个馈入件、一个振荡器和几根电缆,传感器头用于固定晶体,馈入件用于通过腔壁提供水和电气连接,电缆用于将所有部件连接在一起。 对于简单应用,可以使用沉积监控器持续提供速率与厚度数据以及自动束源挡板控制。 对于更先进的应用,则需要使用薄膜真空沉积控制器,以提供足够的能力来实现整个沉积过程全自动化。

如何使用 QCM?
如上所述,QCM 几乎可用于监控所有真空沉积和蚀刻过程,包括许多束源的物理和化学气相沉积。 不过,某些过程可重复性很高,或者仅需要执行运行后调节来维护所需的准确水平即可,可能并不需要 QCM 来实施监控。 其他过程可能也仅在开发的设置和校准阶段需要使用 QCM。 但在大多数应用中,每个过程的每个薄膜层的沉积期间都要用到 QCM。

确定 QCM 适用性时必须考虑以下几个重要方面。 首先,请记住,QCM 仅测量传感器晶体(而非基片)上的速率和厚度变化。 因此,要成功应用 QCM,晶体上的沉积速率与基片上的速率必须保持一致。 其次,传感器晶体的使用寿命受限于材料,这意味着,一旦沉积了足够的材料,晶体即将失效。 尽管定期采样技术可以拓宽晶体范围,但一些过程涉及的材料如此之多,QCM 解决方案完全不可行。 因此,涂胶辊中通常不会使用 QCM。

一套典型的沉积系统需要在测量仪器上连接一个或多个传感器头与馈入件的组合件。 如上所述,QCM 的准确性主要取决于传感器上的沉积速率与基片上的速率之间的一致性,因而,传感器头的位置至关重要。 通常,传感器头安装在与基片处于同一平面的腔室中心附近,而且其安装方向要使传感器晶体能够直接瞄准束源。

至于传感器头和馈入件是连接到沉积监控器上还是控制器上,取决于所需的自动化水平。 通常,此仪器为用户提供的界面中会显示沉积速率和厚度。 大多数沉积控制器还显示源功率、过程时间和其他过程数据以及实时图,实时图可以帮助对过程进行微调。 一些仪器还配备有计算机界面和基于 PC 的软件,能够完全实现计算机控制,包括数据记录、过程归档和诸多其他功能。

安装完成后,QCM 需要立即进行一些程序设计和校准,以确定束源调节参数和材料修正系数。 程序设计完成后,QCM 可以使用数年,传感器头很少需要维护,当然,例行更换传感器晶体除外。

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